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J-GLOBAL ID：201502209509804733   Reference number：15A0768139

Power-switching applications beyond silicon: Status and future prospects of SiC and GaN devices

シリコンを越えたパワースイッチング応用:SiCとGaNの素子の現状と将来展望

Author (4)： DIMITRIJEV Sima (Griffith Univ., AUS) ,  HAN Jisheng (Griffith Univ., AUS) ,  MOGHADAM Hamid Amini (Griffith Univ., AUS) ,  AMINBEIDOKHTI Amirhossein (Griffith Univ., AUS)
Material： MRS Bulletin  (MRS Bull)
Volume： 40  Issue： 5  Page： 399-405  Publication year： May. 2015 
JST Material Number： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  switch ,  voltage ,  velocity ,  circuit characteristic ,  stray capacity ,  silicon ,  Schottky barrier diode ,  HEMT ,  power electronics ,  *switching element ,  power transistor ,  *power switch ,  wide band gap semiconductor
Semi thesaurus term： switching speed ,  normally-off operation ,  ブロッキング電圧 ,  wide band-gap semiconductor ,  parasitic capacitance

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (8)： シリコン ,  パワー ,  スイッチング ,  応用 ,  SiC ,  GaN ,  現状 ,  将来展望