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J-GLOBAL ID：201502210198188624   Reference number：15A0773068

Optical properties of Ga_0.82In_0.18N p-n homojunction blue-green light-emitting-diode grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy

高周波プラズマ支援分子線エピタキシーにより成長したGa_0.82In_0.18N p-nホモ接合青緑色発光ダイオードの光学特性

Author (11)： ONUMA Takeyoshi (Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN) ,  ONUMA Takeyoshi (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NARUTANI Kento (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJIOKA Shuhei (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Tomohiro (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  WANG Ke (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SANG Liwen (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SUMIYA Masatomo (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  HONDA Tohru (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Trans Mater Res Soc Jpn)
Volume： 40  Issue： 2  Page： 149-152  Publication year： Jun. 2015 
JST Material Number： L4468A  ISSN： 1382-3469  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： substrate(plate) ,  alumina ,  sapphire ,  buffer layer ,  gallium nitride ,  MOCVD ,  *indium compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  compound semiconductor ,  *magnesium compound ,  doping ,  *PN junction ,  *photovoltage ,  *photoluminescence ,  *electroluminescence ,  *MBE growth
Semi thesaurus term： photoluminescence ,  *gallium indium nitride ,  molecular beam epitaxy

JST classification (4)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (17)：

• [1] I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 36, 5393-5408 (1997).
• [2] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3976-3981 (1999).
• [3] L. Sang, M. Liao, N. Ikeda, Y. Koide, and M. Sumiya, Appl. Phys. Lett., 99, 161109 (2011); and references cited therein.
• [4] Y. Nanishi, Y. Saito, and T. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 2549-2559 (2003).
• [5] D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys., 84, 1389-1395 (1998).

Terms in the title (6)： 高周波プラズマ支援分子線エピタキシー ,  成長 ,  ホモ接合 ,  青緑色発光 ,  ダイオード ,  光学特性