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J-GLOBAL ID：201502210226607360   Reference number：15A1045282

GaAs半導体中格子歪み分布の核スピンによる観察

Author (6)： NISHIMORI MASASHI (新潟大) ,  HASEGAWA HIROKAZU (新潟大) ,  SASAKI SUSUMU (新潟大) ,  WATANABE SHINJI (JST-ERATO) ,  HIRAYAMA YOSHIRO (JST-ERATO) ,  HIRAYAMA YOSHIRO (東北大 理)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 76th  Page： ROMBUNNO.14A-4D-6  Publication year： Aug. 31, 2015 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *lattice distortion ,  strain distribution ,  nuclear spin ,  aluminum gallium arsenide ,  *27Al NMR

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  NMR of other inorganic compounds  (BM07043Z)

Terms in the title (5)： GaAs ,  格子歪み ,  分布 ,  核スピン ,  観察