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J-GLOBAL ID：201502211099531283   Reference number：15A1363914

Progress of high-power deep-ultraviolet LEDs

ハイパワー深紫外LEDの進展

Author (8)： FUJIOKA A. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  ASADA K. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  YAMADA H. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OHTSUKA T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OGAWA T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KOSUGI T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KISHIKAWA D. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 9363  Page： 93631L.1-93631L.8  Publication year： 2015 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *output ,  *light emitting diode ,  *ultraviolet radiation ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  *compound semiconductor ,  semiconductor chip ,  epitaxy ,  quantum efficiency ,  joint (part) ,  Temperature ,  IC package ,  current-voltage characteristic ,  high power output ,  nitride semiconductor ,  deep-ultraviolet light-emitting diode ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： deep-ultraviolet LED ,  AlGaN ,  external quantum efficiency ,  junction temperature

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (3)： ハイパワー ,  深紫外LED ,  進展