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J-GLOBAL ID：201502212783732596   Reference number：15A1167709

Photocurrent generation of a single-gate graphene p-n junction fabricated by interfacial modification

界面修飾により製造した単一ゲートグラフェンp-n接合の光電流発生

Author (5)： WANG S (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SEKINE Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI S (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAEDA F (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIBINO H (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Nanotechnology
Volume： 26  Issue： 38  Page： 385203,1-6  Publication year： Sep. 25, 2015 
JST Material Number： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： current generation ,  *photocurrent ,  *graphene ,  *PN junction ,  FET ,  monomolecular layer ,  doping ,  electron microscopy ,  electrical resistivity ,  current-voltage characteristic ,  voltage ,  optical absorption ,  carrier mobility ,  flexibility ,  silane ,  interface (surface) ,  self-assembled monolayer
Semi thesaurus term： graphene field effect transistor ,  gate voltage ,  self-assembled monolayer

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (6)： 界面 ,  修飾 ,  ゲート ,  グラフェン ,  p-n接合 ,  光電流