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J-GLOBAL ID：201502212844723900   Reference number：15A1332855

Structure determination of the ordered (√3×√3)R30°phase of Ni₂Si and Ni₂Ge surface alloys on Ni(111) via low-energy electron diffraction

Ni(111)上Ni₂SiとNi₂Ge規則性(√3×√3)R30°相の低エネルギー電子回折による構造決定

Author (3)： RAHMAN Md. Sazzadur (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKAGAWA Takeshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIZUNO Seigi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 642  Page： 1-5  Publication year： Dec. 2015 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *substrate(plate) ,  *nickel ,  *crystal face ,  *silicon ,  *germanium ,  *adsorption ,  *annealing(heat treatment) ,  *silicide ,  *nickel compound ,  *germanium compound ,  structure ,  *alloying ,  *low energy electron diffraction ,  crystal lattice ,  ratio ,  chemical composition ,  crystal structure ,  displacement(replacement) ,  waveform ,  internuclear distance ,  interatomic interaction
Semi thesaurus term： *metal substrate ,  *annealing treatment ,  *nickel silicide ,  two-dimensional structure ,  *surface alloying ,  *low energy electron diffraction ,  unit cell ,  atomic ratio ,  face-centered cubic structure

JST classification (5)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal structure of metals  (BK06000V) ,  Surface structure of solids in general  (BK15010E) ,  Salts  (CD01050V) ,  Electron diffraction methods  (BK01030T)

Terms in the title (3)： Ni ,  規則性 ,  低エネルギー電子回折