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J-GLOBAL ID：201502212907038421   Reference number：15A1279396

Study of Randomly Distributed Charge Traps by Measuring Frequency- and Time-Dependence of a DNTT-Based MIS Capacitor

DNTTベースのMISキャパシタの周波数および時間依存性測定によるランダムに分布した電荷トラップの研究

Author (6)： HAYASHI Toshiaki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKE Naoya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Hayato (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIWARA Akira (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SEKITANI Tsuyoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SOMEYA Takao (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Journal of Display Technology  (J Disp Technol)
Volume： 11  Issue： 7-9  Page： 604-609  Publication year： Jul. 2015 
JST Material Number： W1444A  ISSN： 1551-319X  CODEN： IJDTAL  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *device structure ,  *thin film condenser ,  frequency dependence ,  time dependence ,  surface potential ,  *carrier capture ,  insulating film ,  *MFM structure ,  *charge trapping
Semi thesaurus term： *MIS capacitor ,  *metal-ferroelectric-metal structure ,  frequency dependence ,  insulating thin film ,  *charge trapping ,  surface potential

JST classification (2)： LCR parts  (NA05030D) ,  Dielectrics in general  (BM05010F)

Substance index (1)： Dinaphthothienothiophene

Terms in the title (6)： DNTT ,  MISキャパシタ ,  時間依存性 ,  分布 ,  電荷トラップ ,  研究