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J-GLOBAL ID：201502213606913527   Reference number：15A0727059

分子修飾電極触媒における原子・分子レベルでの表面構造と電子移動速度の関係

Author (8)： SATO SHINO (北大) ,  SATO SHINO (物質・材料研究機構) ,  UOSAKI KOHEI (北大) ,  UOSAKI KOHEI (物質・材料研究機構) ,  MURAKOSHI KEI (北大) ,  IKEDA KATSUYOSHI (北大) ,  IKEDA KATSUYOSHI (物質・材料研究機構) ,  IKEDA KATSUYOSHI (JST-さきがけ)
Material： 電気化学会大会講演要旨集(CD-ROM)
Volume： 82nd  Page： ROMBUNNO.1O34  Publication year： Mar. 09, 2015 
JST Material Number： Y0048B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： rotating electrode ,  voltammetry ,  electrode catalyst ,  *surface structure ,  *electron transfer rate ,  *reduction (reaction) ,  catalytic activity ,  Palladium ,  monomolecular layer ,  gold electrode ,  isocyanide ,  thiol ,  overvoltage ,  porphyrin complex ,  cobalt complex ,  *chemically modified electrode ,  linker ,  adsorption property ,  *oxygen reduction ,  *structure
Semi thesaurus term： adsorption ,  *oxygen reduction reaction

JST classification (1)： Electrochemical reaction  (CB07050F)

Terms in the title (6)： 分子 ,  修飾 ,  電極触媒 ,  原子 ,  表面構造 ,  電子移動速度