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J-GLOBAL ID：201502214018396440   Reference number：15A1132536

酸素反応性イオンエッチングによる線幅45nm光硬化樹脂パターンの残膜除去

Author (4)： UEHARA TAKUYA (東北大 多元物質科研) ,  KUBO SHOICHI (東北大 多元物質科研) ,  HIROSHIBA NOBUYA (東北大 多元物質科研) ,  NAKAGAWA MASARU (東北大 多元物質科研)
Material： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
Volume： 64  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.3O02  Publication year： Aug. 25, 2015 
JST Material Number： Z0703C  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *lithography ,  wafer ,  oxygen ,  *RIE ,  nanometer process ,  *width ,  *compression forming ,  *pattern formation ,  residue(object) ,  *removal ,  photopolymerizable resin ,  machining condition ,  flow rate ,  pressure ,  electric power source equipment ,  output
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  *nanoimprint ,  *UV-nanoimprint lithography ,  high-frequency power source ,  oxygen flow rate ,  *line width ,  *reactive ion etching

JST classification (5)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Oxidation,reduction  (CF02060T) ,  Other surface treatment  (WC08070F) ,  Special forming  (WC04040W) ,  Other reactions of polymer  (CG03040H)

Terms in the title (4)： 酸素 ,  反応性イオンエッチング ,  線幅 ,  光硬化樹脂