Art

J-GLOBAL ID：201502214402296908   Reference number：15A0463537

Physical and electrical properties of graphene grown under different hydrogen flow in low pressure chemical vapor deposition

異なる水素流の低圧化学気相成長法により成長させたグラフェンの物理的と電気的性質

Author (7)： HUSSAIN Sajjad (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  IQBAL Muhmmad Waqas (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jaehyun (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  AHMAD Muneer (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  SINGH Jai (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  EOM Jonghwa (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  JUNG Jongwan (Sejong Univ., Seoul, KOR)
Material： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Res Lett (Web))
Volume： 9  Issue： 1  Page： WEB ONLY 9:546  Publication year： Dec. 2014 
JST Material Number： U7001A  ISSN： 1931-7573  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *graphene ,  *LPCVD ,  *hydrogen ,  *flux ,  *physical property ,  *electrical property ,  nucleation ,  crystal growth ,  amorphous state ,  carbon oxide ,  lattice defect ,  pollution ,  carrier mobility ,  doping
Semi thesaurus term： functional group

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (6)： 水素 ,  低圧化学気相成長法 ,  成長 ,  グラフェン ,  物理 ,  電気的性質