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J-GLOBAL ID：201502215421372795   Reference number：15A1085799

A subthermionic tunnel field-effect transistor with an atomically thin channel

チャネルが原子レベルで薄いサブ熱電子トンネル電界効果トランジスター

Author (9)： SARKAR Deblina (Univ. California, Santa Barbara, California, USA) ,  XIE Xuejun (Univ. California, Santa Barbara, California, USA) ,  LIU Wei (Univ. California, Santa Barbara, California, USA) ,  CAO Wei (Univ. California, Santa Barbara, California, USA) ,  KANG Jiahao (Univ. California, Santa Barbara, California, USA) ,  BANERJEE Kaustav (Univ. California, Santa Barbara, California, USA) ,  GONG Yongji (Rice Univ., Texas, USA) ,  AJAYAN Pulickel M. (Rice Univ., Texas, USA) ,  KRAEMER Stephan (Univ. California, Santa Barbara, California, USA)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 526  Issue： 7571  Page： 91-95  Publication year： Oct. 01, 2015 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thermionic emission ,  channel ,  nanomaterial ,  semiconductor process ,  *MOSFET ,  scale down ,  *low dimensional system ,  *semiconductor material ,  inclination ,  turn-on ,  consumed electric power ,  scaling ,  electronic transition ,  Germanium ,  *molybdenum sulfide ,  interface (surface) ,  ultrathin film ,  biosensor ,  gas sensor ,  MOS integrated circuit ,  scale down ,  interband transition ,  heterointerface ,  silicon nano-material ,  *molybdenum(IV) sulfide
Semi thesaurus term： subthreshold slope ,  silicon nano-material ,  *tunnel FET ,  *2D system ,  *molybdenum disulfide

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： チャネル ,  原子 ,  サブ ,  トンネル ,  電界効果トランジスター