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J-GLOBAL ID：201502215583825556   Reference number：15A1056983

イオン注入Siの中性子照射による結晶性回復と温度依存性

Author (13)： KINOMURA ATSUSHI (産業技術総合研) ,  KINOMURA ATSUSHI (京大) ,  YOSHIIE TOSHIMASA (京大) ,  CHAYAHARA AKIYOSHI (産業技術総合研) ,  MOKUNO YOSHIAKI (産業技術総合研) ,  TSUBOUCHI NOBUTERU (産業技術総合研) ,  HORINO YUJI (産業技術総合研) ,  XU Q. (京大) ,  SATO KOICHI (京大) ,  SATO KOICHI (鹿児島大) ,  YASUDA KEISUKE (若狭湾エネルギー研究セ) ,  YASUDA KEISUKE (京都府大) ,  ISHIGAMI RYOYA (若狭湾エネルギー研究セ)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 157th  Page： ROMBUNNO.230  Publication year： Sep. 02, 2015 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  single crystal ,  *ion ,  *ion implantation ,  *neutron irradiation ,  radiation damage ,  *crystallinity ,  *restoration ,  damage and injury ,  Rutherford back scattering ,  *silicon ion ,  monocrystal silicon
Semi thesaurus term： *crystallinity

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Interaction with neutrons  (BK16060O)

Terms in the title (6)： イオン注入 ,  Si ,  中性子照射 ,  結晶性 ,  回復 ,  温度依存性