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J-GLOBAL ID：201502215658861014   Reference number：15A1219832

The Progresses of MRAM As a Memory To Save Energy Consumption and Its Potential for Further Reduction

省エネルギーメモリとしてのMRAMの進歩とその将来の削減の可能性

Author (5)： YODA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KITAGAWA E (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SHIMOMURA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  FUJITA S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AMANO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Symposium on VLSI Circuits)
Volume： 2015  Page： 57-58  Publication year： 2015 
JST Material Number： W0767A  ISSN： 2158-5601  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistive random access memory ,  *technical progress ,  *Torque ,  electron spin ,  tunnel junction ,  magnetoresistance effect ,  *data writing ,  *electric power consumption ,  nonvolatile memory ,  leakage current ,  data reading ,  Q-value ,  *Energy efficient technologies ,  spin torque ,  *saving
Semi thesaurus term： *energy saving ,  STT-MRAM ,  spin transfer torque ,  MTJ

JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (3)： 省エネルギー ,  MRAM ,  可能性