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J-GLOBAL ID：201502215961768493   Reference number：15A1369730

Present Status of RRAM Research

RRAMの原理はどこまで理解できたのか?

Author (1)： INOUE ISAO (産業技術総合研)
Material： 日本物理学会誌
Volume： 70  Issue： 11  Page： 814-823  Publication year： Nov. 05, 2015 
JST Material Number： F0221A  ISSN： 0029-0181  CODEN： NBGSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *RAM ,  *MIM structure ,  electric resistance ,  *switching ,  *nonvolatile memory ,  circuit characteristic ,  computer application ,  mobile terminal ,  hand-held type ,  DRAM ,  SRAM ,  internet ,  market ,  polarity ,  fuse ,  filament ,  current-voltage characteristic ,  *resistance switching ,  Cloud Computing ,  conducting filament ,  Energy efficient technologies ,  *resistance random access memory ,  mobile device ,  saving
Semi thesaurus term： energy saving ,  *resistive random access memory ,  normally off ,  mobile device ,  niche market ,  anti-fuse

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Reference (85)：

• 例えば, 101 Innovations in Scholarly Communication (http://innoscholcomm.silk.co/)
• S. M. Sze and K. K. Ng: Physics of Semiconductor Devices (Wiley-Inter-science, 2006).
• J. S. Meeena, et al.: Nanoscale Res. Lett. 9 (2014) 526.
• F. Pan, et al.: Mater. Sci. Eng. R 83 (2014) 1.
• D. Acharyya, et al.: Microele. Reliability 54 (2014) 541.

Terms in the title (3)： RRAM ,  原理 ,  理解