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J-GLOBAL ID：201502216440378440   Reference number：15A0968239

Improvement of the Ferroelectric Properties of Chemically Synthesized Bi_1/2Na_1/2TiO₃ Thin Films via Mn Doping

Mnをドープして化学合成したBi_1/2Na_1/2TiO₃薄膜における強誘電性の改良

Author (5)： SAKAMOTO Wataru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAKINO Narimichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATAYAMA Takeshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORIYA Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOGO Toshinobu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Ferroelectrics
Volume： 479  Page： 56-63  Publication year： Jun. 2015 
JST Material Number： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,  material ,  *bismuth compound ,  *sodium compound ,  *titanate ,  doping ,  manganese ,  solution growth ,  *dielectric thin film ,  substrate(plate) ,  oxidation ,  silicon ,  leakage current ,  residual polarization ,  coercive electric field
Semi thesaurus term： chemical solution deposition ,  surface oxidation ,  Lead-free material ,  *bismuth sodium titanate

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： Mn ,  ドープ ,  化学合成 ,  薄膜 ,  強誘電性