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J-GLOBAL ID：201502217941657140   Reference number：15A1339833

Theoretical discovery of stable structures of group III-V monolayers: The materials for semiconductor devices

III-V族単層の安定な構造の理論的発見:半導体素子用の材料

Author (1)： SUZUKI Tatsuo (Tokyo Metropolitan Coll. of Industrial Technol., 8-17-1, Minami-Senju, Arakawa-ku, Tokyo 116-8523, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 107  Issue： 21  Page： 213105-213105-4  Publication year： Nov. 23, 2015 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor device ,  *semiconductor material ,  compound semiconductor ,  monolayer ,  orbit(trajectory) ,  bond angle ,  gallium phosphide ,  gallium arsenide ,  indium phosphide ,  indium arsenide ,  *band gap ,  decomposition reaction ,  density functional method ,  *monoatomic layer ,  boron nitride ,  aluminum nitride ,  gallium nitride ,  indium nitride
Semi thesaurus term： *III-VI semiconductor ,  ヒ化ホウ素 ,  リン化ホウ素 ,  indirect band gap ,  hybrid orbital ,  water decomposition ,  direct band gap

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 単層 ,  理論 ,  発見 ,  半導体素子