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J-GLOBAL ID：201502220232776926   Reference number：15A0704241

光化学表面改質による半導体量子ドットの明滅現象の抑制および発光強度の増強

Author (5)： HAMADA MORIHIKO ,  TAKENOKOSHI NORIFUMI ,  WAKIDA SHIN'ICHI ,  NAKANISHI SHUNSUKE ,  BIJU Vasudevanpillai
Material： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
Volume： 95th  Issue： 2  Page： 445  Publication year： Mar. 11, 2015 
JST Material Number： S0493A  ISSN： 0285-7626  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *quantum dot ,  *semiconductor ,  *cadmium selenide ,  *zinc sulfide ,  flicker(electric) ,  suppression and control ,  radiant intensity ,  strengthening ,  solution(liquid) ,  addition(annex) ,  optical pumping ,  *surface defect ,  transition probability ,  radiationless transition ,  set ,  measurement ,  fluorometry(measurement) ,  *surface modification ,  *aliphatic alcohol ,  thiol ,  diol ,  secondary alcohol
Semi thesaurus term： flickering ,  emission intensity ,  optical pumping ,  ensemble ,  time resolved method

JST classification (4)： Salts  (CD01050V) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Aliphatic alcohols  (CF03090H)

Substance index (1)： Dithiothreitol

Terms in the title (7)： 光化学 ,  表面改質 ,  半導体量子ドット ,  明滅 ,  現象 ,  発光強度 ,  増強