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J-GLOBAL ID：201502226242624782   Reference number：15A0222858

Electron transport in endohedral metallofullerene Ce@C₈₂ single-molecule transistors

金属内包フラーレンCe@C₈₂単一分子トランジスタの電子輸送

Author (4)： OKAMURA Naoya (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...) ,  YOSHIDA Kenji (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...) ,  SAKATA Shuichi (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...) ,  HIRAKAWA Kazuhiko (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 106  Issue： 4  Page： 043108-043108-4  Publication year： Jan. 26, 2015 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *clathrate compound ,  *Cerium ,  *fullerene C82 ,  transistor ,  fullerene ,  single electron tunnel effect ,  current-voltage characteristic ,  hysteresis ,  voltage ,  electric dipole ,  diagrams and charts ,  *fullerene C84 ,  *encapsulated metallofullerene
Semi thesaurus term： Coulomb安定性ダイアグラム ,  bias voltage ,  *single molecular transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 金属内包フラーレン ,  単一分子トランジスタ ,  電子輸送