Art

J-GLOBAL ID：201502236163072702   Reference number：15A0350907

Oxidation Processes on High-index Silicon Surfaces

シリコン高指数面の酸化過程

Author (1)： ONO SHIN'YA (横浜国立大学理工学部数物・電子情報系学科物理工学 EP)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 58  Issue： 2  Page： 37-42 (J-STAGE)  Publication year： 2015 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *CMOS structure ,  *FET ,  *silicon ,  semiconductor ,  thermal oxidation ,  *crystal orientation ,  model ,  *surface structure ,  X-ray photoelectron spectrum ,  oxidation ,  chemical composition ,  film thickness ,  *band structure ,  *oxide film ,  density ,  *carrier capture ,  *refinement ,  Models, Structural ,  band bending ,  *MOS structure ,  *structure ,  *conversion coating film
Semi thesaurus term： 単分子層酸化 ,  界面トラップ密度 ,  refinement

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Reference (31)：

• 1) C. Wei, Y.-Z. Xiong, X. Zhou, N. Singh, X.-J. Yuan, G. Q. Lo, L. Chan and D.-L. Kwong: IEEE Trans. Electron Devices, 57 (2010) 2774.
• 2) T.-H. Hsu, H.-T. Lue, Y.-C. King, Y.-H. Hsiao, S.-C. Lai, K.-Y. Hsieh, R. Liu and C.-Y. Lu, IEEE Trans. Electron. Devices, 56 (2009) 1235.
• 3) E. Arnold, J. Ladell and G. Abowitz: Appl. Phys. Lett., 13 (1968) 413.
• 4) S. Ogata, S. Ohno, M. Tanaka, T. Mori, T. Horikawa and T. Yasuda: Appl. Phys. Lett., 98 (2011) 092906.
• 5) S. Ogata, S. Ohno, M. Tanaka, T. Horikawa and T. Yasuda: Jpn. J. Appl. Phys., 49 (2010) 022403.

Terms in the title (4)： シリコン ,  指数 ,  酸化 ,  過程