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J-GLOBAL ID：201502240051684575   Reference number：15A0473116

Three-Dimensional Integrated CMOS Image Sensors with Pixel-Parallel A/D Converters Fabricated by Direct Bonding of SOI Layers

SOI層の直接ボンディングで製作したピクセルパラレルA/Dコンバータによる三次元集積CMOSイメージセンサ

Author (9)： GOTO Masahide (NHK Sci. and Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HAGIWARA Kei (NHK Sci. and Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  IGUCHI Yoshinori (NHK Sci. and Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  OHTAKE Hiroshi (NHK Sci. and Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIGURASHI Eiji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TOSHIYOSHI Hiroshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2014  Page： 84-87  Publication year： 2014 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： image sensor ,  analog to digital converter ,  wafer ,  photodetector ,  special purpose processor ,  integration (accumulation) ,  signal processing ,  transmission speed ,  space resolving power ,  semiconductor process ,  *AD conversion ,  *face bonding ,  *CMOS Image Sensor ,  silicon-on-insulator wafer ,  signal processor
Semi thesaurus term： A/D converter ,  damascene ,  frame rate ,  spatial resolution ,  *3-Dimension integration

JST classification (2)： Other solid-state devices  (NC03150A) ,  AD/DA conversion circuits  (NC05080M)

Terms in the title (8)： SOI ,  ボンディング ,  製作 ,  ピクセル ,  パラレル ,  コンバータ ,  三次元集積 ,  CMOSイメージセンサ