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J-GLOBAL ID：201502247672978747   Reference number：15A0162421

GaAsSb-Based DHBTs With a Reduced Base Access Distance and f_T/f_MAX=503/780GHz

縮小ベースアクセス距離とf_T/f_MAX=503/780GHzをもつGaAsSb系DHBT

Author (5)： ALEXANDROVA Maria (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  FLUECKIGER Ralf (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  LOEVBLOM Rickard (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  OSTINELLI Olivier (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  BOLOGNESI C. R. (ETH Zurich, Zurich, CHE)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 35  Issue： 12  Page： 1218-1220  Publication year： Dec. 2014 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HBT ,  *antimonide ,  *gallium compound ,  *arsenide ,  frequency(Hz) ,  *cutoff frequency ,  electric resistance ,  reduction
Semi thesaurus term： *DHBT ,  *GaAsSb ,  drag reducing ,  oscillation frequency

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 縮小 ,  アクセス ,  GaAsSb ,  DHBT