Art

J-GLOBAL ID：201502256073336620   Reference number：15A0445146

Dual-Gated MoS₂/WSe₂ van der Waals Tunnel Diodes and Transistors

デュアルゲートMoS₂/WSe₂ van der Waalsトンネルダイオード及びトランジスタ

Author (17)： ROY Tania (Univ. California, California, USA) ,  ROY Tania (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  TOSUN Mahmut (Univ. California, California, USA) ,  TOSUN Mahmut (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CAO Xi (Univ. Florida, Florida, USA) ,  FANG Hui (Univ. California, California, USA) ,  FANG Hui (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LIEN Der-Hsien (Univ. California, California, USA) ,  LIEN Der-Hsien (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LIEN Der-Hsien (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  ZHAO Peida (Univ. California, California, USA) ,  ZHAO Peida (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CHEN Yu-Ze (Univ. California, California, USA) ,  CHUEH Yu-Lun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  GUO Jing (Univ. Florida, Florida, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, California, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
Material： ACS Nano
Volume： 9  Issue： 2  Page： 2071-2079  Publication year： Feb. 2015 
JST Material Number： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tunnel diode ,  *transistor ,  *tunnel effect ,  van der Waals force ,  molybdenum sulfide ,  selenide (chalcogenide) ,  tungsten compound ,  gate (semiconductor) ,  chalcogenide ,  transition metal ,  negative resistance ,  device structure ,  transmission electron microscope ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  current-voltage characteristic ,  tungsten selenide ,  negative differential resistance
Semi thesaurus term： dual gate

JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： デュアルゲート ,  MoS2 ,  VAN ,  トンネルダイオード ,  トランジスタ