Art

J-GLOBAL ID：201502258165987957   Reference number：15A0512436

Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors

Siダブルゲート無接合トランジスタにおける表面粗さと不純物散乱の効果の計算研究

Author (7)： ICHII Masato (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  ISHIDA Ryoma (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KAMAKURA Yoshinari ,  MORI Nobuya ,  OGAWA Matsuto (Kobe Univ., Kobe, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 62  Issue： 4  Page： 1255-1261  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： coefficient ,  carrier scattering ,  Monte Carlo Method ,  surface roughness ,  *surface scattering ,  scattering ,  transport phenomenon ,  simulation ,  *mobility (ratio) ,  device structure ,  phonon scattering ,  backscattering coefficient ,  electron transport ,  *impurity scattering
Semi thesaurus term： double-gate ,  *無接合トランジスタ

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： Si ,  ダブルゲート ,  接合トランジスタ ,  表面粗さ ,  不純物散乱 ,  計算 ,  研究