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J-GLOBAL ID：201502273505234672   Reference number：15A0700834

Charge pumping current from single Si/SiO₂ interface traps: Direct observation of P_b centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method

単一Si/SiO₂界面トラップからのチャージポンピング電流:P_bセンターの直接観察とチャージポンピング法による基本的トラップのカウント

Author (2)： TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  ONO Yukinori (Univ. Toyama, Toyama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 4S  Page： 04DC01-04DC01.7  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *silicon dioxide ,  *interface(surface) ,  *carrier capture ,  *electric charge ,  *measurement ,  excitation(physics)
Semi thesaurus term： チャージポンピング ,  counting ,  *trapped charge

JST classification (1)： Other contacts of semiconductors  (BM03086O)

Reference (31)：

• Y.-Y. Chiu, Y. Li, and H.-W. Cheng, Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2011, p. 126.
• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, IEEE Trans. Electron Devices 16, 297 (1969).
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. DeKeersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices 31, 42 (1984).
• P. Heremans, J. Witters, G. Groesenekn, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 36, 1318 (1989).
• N. S. Saks and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 11, 339 (1990).

Terms in the title (9)： Si ,  SiO2 ,  界面トラップ ,  チャージ ,  ポンピング ,  Pb ,  センター ,  トラップ ,  カウント