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J-GLOBAL ID：201502282212166817   Reference number：15A0446897

Dramatic enhancement of 1.54 μm emission in Er doped GaN quantum well structures

ErドープGaN量子井戸構造における1.54μm放射の劇的増強

Author (5)： AL TAHTAMOUNI T. M. (Dep. of Physics, Yarmouk Univ., Irbid 21163, Jordan) ,  STACHOWICZ M. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, 02-668 Warsaw, POL) ,  LI J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA) ,  LIN J. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA) ,  JIANG H. X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 106  Issue： 12  Page： 121106-121106-5  Publication year： Mar. 23, 2015 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  erbium ,  doping ,  infrared laser ,  *multiple quantum well ,  *emission spectrum ,  photoluminescence ,  device structure
Semi thesaurus term： X線回折パターン

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： Er ,  ドープ ,  GaN ,  量子井戸 ,  放射 ,  増強