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J-GLOBAL ID：201502282408053980   Reference number：15A0599861

Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on Si(001)

Si(001)上でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の成因

Author (2)： KAWAMURA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  MAKSYM P. A. (Univ. Leicester, Leicester, GBR)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 630  Page： 125-135  Publication year： Dec. 2014 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *homoepitaxy ,  *silicon ,  single crystal ,  *surface ,  *surface structure ,  *RHEED ,  wave function ,  *MBE growth ,  surface reaction ,  *interaction ,  *electron-solid interaction ,  *structure

JST classification (3)： Surface chemistry in general  (CB12010J) ,  Electron diffraction methods  (BK01030T) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： Si ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  RHEED ,  成因