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J-GLOBAL ID：201502284463515317   Reference number：15A0321649

Atomic Level Thickness Uniformity and Reliability of Ultrathin Silicon Dioxide Films Thermally Grown on Crystalline Silicon

極薄シリコン酸化膜における原子レベルの膜厚均一性と信頼性

Author (2)： YAMABE KIKUO (筑波大学数理物質科学研究科電子・物理工学専攻) ,  HASUNUMA RYU (筑波大学数理物質科学研究科電子・物理工学専攻)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 58  Issue： 1  Page： 27-34 (J-STAGE)  Publication year： 2015 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ultrathin film ,  *silicon dioxide ,  *homogeneity ,  *reliability(property) ,  flatness(property) ,  *dielectric breakdown ,  MOSFET ,  refinement
Semi thesaurus term： refinement

JST classification (3)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (26)：

• 1) D. L. Crook: Proc. Int. Reliability Phys. Symp., (1978) 1.
• 2) E. S. Anolock and G. R. Nelson: Proc. Int. Reliability Phys. Symp., (1978) 8.
• 3) K. Yamabe, K. Liao, H. Minemura and M. Murata: J. Electrochem. Soc., 148 (2001) F9-F11.
• 4) K. Yamabe, K. Taniguchi and Y. Matsushita: 21st Ann. Proc. Int. Reliability Phys. Symp., (1983) 184.
• 5) K. Yamabe, K. Taniguchi and Y. Matsushita: Proc. Symp. Defects in Silicon, Electrochem. Soc., (1983) 629.

Terms in the title (3)： シリコン酸化膜 ,  原子 ,  膜厚均一性