Art

J-GLOBAL ID：201502296807109478   Reference number：15A0491565

Electronic Transport at Cleaved Surfaces

劈開表面における電子輸送現象

Author (2)： OKAMOTO TOORU (東京大学大学院理学系研究科物理学専攻) ,  MASUTOMI RYUICHI (東京大学大学院理学系研究科物理学専攻)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 36  Issue： 3  Page： 118-123 (J-STAGE)  Publication year： 2015 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： quantum Hall effect ,  monomolecular layer ,  *transport phenomenon ,  crystal face ,  *cleavage (crystal) ,  indium arsenide ,  indium antimonide ,  hysteresis ,  gallium arsenide ,  Iron ,  Lead ,  two dimension ,  Superconductivity ,  spin-orbit interaction ,  *semiconductor ,  spin polarization ,  Rashba spin-orbit interaction ,  *electron transport ,  cleavage face
Semi thesaurus term： iron ,  GaAs ,  InAs ,  InSb ,  Pb

JST classification (2)： Other physical chemistry in general  (CB01030T) ,  Properties of superconductors in general  (BM04021A)

Reference (20)：

• 1) S. Kawaji and H.C. Gatos: Surf. Sci. 7, 215 (1967).
• 2) Y. Tsuji, T. Mochizuki and T. Okamoto: Appl. Phys. Lett. 87, 062103 (2005).
• 3) 岡本 徹,辻 幸秀,望月敏光: 固体物理 41, 339, (2006).
• 4) M. Minowa, R. Masutomi, T. Mochizuki and T. Okamoto: Phys. Rev. B 77, 233301 (2008).
• 5) T. Okamoto, T. Mochizuki, M. Minowa, K. Komatsuzaki and R. Masutomi: J. Appl. Phys. 109, 102416 (2011).

Terms in the title (3)： 劈開 ,  電子 ,  輸送現象