Pat

J-GLOBAL ID：201503000222218776

欠陥評価装置及びそれを用いた欠陥評価方法

Inventor： 井上 憲介 ,  杉江 隆一
Applicant, Patent owner： 株式会社東レリサーチセンター
Agent (1)： 岩見 知典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014029136
Publication number (International publication number)：2015152546
Application date： Feb. 19, 2014
Publication date： Aug. 24, 2015
Summary：

【課題】欠陥量が非常に少ない試料について、欠陥を顕在化させ、従来よりもさらに試料中の結晶欠陥を高感度に評価する方法及び評価する装置を提供すること。【解決手段】事前に高エネルギー電子線を照射することで欠陥を顕在化させ、カソードルミネッセンス法を適用することによって、従来よりもさらに試料中の結晶欠陥を高感度に評価する方法及び評価する装置。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

欠陥を評価する装置であって、高エネルギー電子線を照射する前処理部と、試料を冷却する冷却部と、低エネルギー電子線を照射する測定部と、低エネルギー電子線照射により試料から発生する光を検出して結晶欠陥を検査する分析部を具備するものであることを特徴とする欠陥評価装置。

IPC (1)：

G01N 21/66

FI (1)：

G01N21/66

F-Term (7)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA10 ,  2G043EA11 ,  2G043JA01 ,  2G043KA01 ,  2G043LA03