Pat
J-GLOBAL ID:201503001573724240
電荷移動錯体およびその結晶、その結晶の製造方法、電界効果トランジスタ、並びに、光電変換素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
特許業務法人あーく特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014039627
Publication number (International publication number):2015163595
Application date: Feb. 28, 2014
Publication date: Sep. 10, 2015
Summary:
【課題】2次元的な結晶成長様式を有し、均質な薄膜を容易に形成可能であり、かつ優れた半導体特性を発現することが期待できる電荷移動錯体等を提供する。【解決手段】電荷移動錯体は、電子供与性の有機分子(1・3)と電子受容性の有機分子(2)とからなり、電子供与性の有機分子(1・3)および電子受容性の有機分子(2)の少なくとも一方が、ハロゲン原子で置換されていてもよい、炭化水素側鎖、炭化水素オキシ側鎖、および炭化水素チオ側鎖からなる群より選ばれる少なくとも1種の炭化水素含有側鎖を有し、結晶状態であるときに、電子供与性の有機分子(1・3)および電子受容性の有機分子(2)における炭化水素含有側鎖(3)を除いた部分(1・2)からなる結晶層と、結晶層から外方へ向かって伸びる炭化水素含有側鎖(3)の群とで構成される2次元層状結晶となるものであり、電子供与性の有機分子(1・3)が、カルコゲノフェン誘導体である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
電子供与性の有機分子と電子受容性の有機分子とからなる電荷移動錯体であって、
前記電子供与性の有機分子および前記電子受容性の有機分子の少なくとも一方が、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭化水素側鎖、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭化水素オキシ側鎖、およびハロゲン原子で置換されていてもよい炭化水素チオ側鎖からなる群より選ばれる少なくとも1種の炭化水素含有側鎖を有し、
結晶状態であるときに、前記電子供与性の有機分子および前記電子受容性の有機分子における前記炭化水素含有側鎖を除いた部分からなる結晶層と、その結晶層から外方へ向かって伸びる前記炭化水素含有側鎖の群とで構成される2次元層状結晶となるものであり、
前記電子供与性の有機分子が、カルコゲノフェン誘導体であることを特徴とする電荷移動錯体。
IPC (5):
C07D 495/04
, H01L 51/46
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 29/786
FI (6):
C07D495/04 101
, H01L31/04 154A
, H01L31/04 152A
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 220B
, H01L29/78 618B
F-Term (80):
4C071AA01
, 4C071AA07
, 4C071BB01
, 4C071BB06
, 4C071CC22
, 4C071DD04
, 4C071EE13
, 4C071FF23
, 4C071GG01
, 4C071LL10
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110BB05
, 5F110BB20
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110CC09
, 5F110CC10
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, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD25
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
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, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
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, 5F110GG28
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, 5F110HK32
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, 5F110HM04
, 5F110NN02
, 5F110NN04
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, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F151AA11
, 5F151DA03
, 5F151DA05
, 5F151FA04
, 5F151FA13
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