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J-GLOBAL ID:201503006712962218

蓄電素子及び蓄電素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 鎌田 耕一 ,  古田 昌稔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014223010
Publication number (International publication number):2015195335
Application date: Oct. 31, 2014
Publication date: Nov. 05, 2015
Summary:
【課題】高容量な蓄電素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】蓄電素子(100)は、第1電極(20)、第2電極(50)、蓄電層(30)及びp型半導体層(40)を備えている。蓄電層(30)は、第1電極(20)と第2電極(50)との間に配置されている。蓄電層(30)は、絶縁材料(31)と、n型半導体粒子(32)との混合物を含む。p型半導体層(40)は、蓄電層(30)と第2電極(50)との間に配置されている。n型半導体粒子(32)は、チタンニオブ複合酸化物と、チタンタンタル複合酸化物との少なくとも一方の材料を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1電極と、 第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、絶縁材料とn型半導体粒子との混合物を含む蓄電層と、 前記蓄電層と前記第2電極との間に配置されたp型半導体層と、 を備え、 前記n型半導体粒子は、チタンニオブ複合酸化物と、チタンタンタル複合酸化物との少なくとも一方を含む、蓄電素子。
IPC (1):
H01L 49/00
FI (1):
H01L49/00 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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