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J-GLOBAL ID：201503010218162990

X字状ZnOナノロッドおよびその製造方法

Inventor： 市川 洋 ,  廣芝 伸哉
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 名古屋工業大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014002987
Publication number (International publication number)：2015131738
Application date： Jan. 10, 2014
Publication date： Jul. 23, 2015
Summary：

【課題】ZnOナノロッドを基板面に斜めに成長するようにその配向を制御する。【解決手段】ロッドの径がナノメートルサイズのX字状酸化亜鉛ナノロッドであり、交差する2本のロッドの長軸方向のなす角度が10°〜120°である。R面サファイア基板上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、亜鉛塩水溶液に塩基を加えた溶液中に基板を浸漬することにより、前記薄膜を成長核として、基板面上にX字状に配向した酸化亜鉛ナノロッドが複数形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ロッドの径がナノメートルサイズのX字状酸化亜鉛ナノロッド。

IPC (4)：

C30B 29/62 ,  C30B 7/14 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00

FI (4)：

C30B29/62 D ,  C30B7/14 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

F-Term (19)：

4G077AA04 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BB07 ,  4G077CB02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12 ,  4G077HA20 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  4G077KA05 ,  4G077KA06