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J-GLOBAL ID：201503010382867768

光起電力素子及びその製造方法

Inventor： 佐藤 大典 ,  矢口 裕之 ,  八木 修平
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学
Agent (2)： 山本 典輝 ,  岸本 達人
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2012062365
Publication number (International publication number)：WO2013128661
Application date： May. 15, 2012
Publication date： Sep. 06, 2013
Summary：

本発明は、従来よりも性能を高めることが可能な、禁制帯中に局在準位又は中間バンドをもつ半導体を用いた光起電力素子を提供することを主目的とする。本発明は、第1半導体材料により形成された第1層、及び、第1半導体材料とは異なる第2半導体材料により形成された第2層を備え、第2半導体材料は、その禁制帯中に局在準位又は中間バンドを有し、第1層及び第2層が繰り返し積層されており、一対の第1層の間に配置された第2層を、少なくとも2以上有し、第2層の厚さが第1半導体材料の4分子層の厚さ未満である、光起電力素子とする。

Claim (excerpt)：

第1半導体材料により形成された第1層、及び、前記第1半導体材料とは異なる第2半導体材料により形成された第2層を備え、 前記第2半導体材料は、その禁制帯中に局在準位又は中間バンドを有し、 前記第1層及び前記第2層が繰り返し積層され、 一対の前記第1層の間に配置された前記第2層を、少なくとも2以上有し、 前記第2層の厚さが前記第1半導体材料の4分子層の厚さ未満である、光起電力素子。

IPC (2)：

H01L 31/035 ,  H01L 31/025

FI (2)：

H01L31/04 340 ,  H01L31/04 320

F-Term (1)：

5F151AA08