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J-GLOBAL ID:201503010976335677
発光ダイオードのための{20-2-1}半極性窒化ガリウムのPECエッチング
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
山本 秀策
, 森下 夏樹
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2015530092
Publication number (International publication number):2015532009
Application date: Aug. 30, 2013
Publication date: Nov. 05, 2015
Summary:
半極性{20-2-1}III族窒化物半導体上またはその上方に形成される1つ以上の活性層からの光抽出を改善し、かつその外部効率を向上させるために、半極性{20-2-1}III族窒化物半導体の露出表面上で光電気化学(PEC)エッチングを行う方法。一実施形態において、光電気化学エッチングは、半極性{20-2-1}III族窒化物半導体の露出表面を成形、パターン化、または粗面化するために行われる。一実施形態において、光電気化学エッチングのために、電解質として約0.001M〜約1MのKOH濃度を選択し、約2オングストローム/秒〜約8オングストローム/秒の露出表面に対するエッチング率を得ることをさらに含む。
Claim (excerpt):
発光素子を製作する方法であって、
半極性{20-2-1}III族窒化物半導体上またはその上方に形成される1つ以上の活性層からの光抽出を改善し、かつその外部効率を向上させるために、前記半極性{20-2-1}III族窒化物半導体の露出表面上で光電気化学(PEC)エッチングを行うことを含む、方法。
IPC (4):
H01L 33/22
, H01L 33/16
, H01L 33/32
, H01L 21/306
FI (4):
H01L33/00 172
, H01L33/00 160
, H01L33/00 186
, H01L21/306 L
F-Term (10):
5F043AA16
, 5F043BB10
, 5F043DD08
, 5F043DD14
, 5F043GG10
, 5F241AA03
, 5F241CA23
, 5F241CA40
, 5F241CA74
, 5F241CB15
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