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J-GLOBAL ID：201503016750352356

結晶性積層構造体、半導体装置

Inventor： 織田 真也 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA
Agent (3)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014073646
Publication number (International publication number)：2015196603
Application date： Mar. 31, 2014
Publication date： Nov. 09, 2015
Summary：

【課題】不純物がドーピングされたコランダム構造を有するα-酸化ガリウム系薄膜が加熱工程において高抵抗化することを抑制することができる結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】本発明によれば、下地基板と、その上に直接又は別の層を介して形成され且つコランダム構造を有するα-酸化ガリウム系薄膜を備え、前記α-酸化ガリウム系薄膜は、前記α-酸化ガリウム系薄膜中の金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上であり、膜厚が1μm以上であり、且つその少なくとも一部に不純物がドーピングされている、結晶性積層構造体が提供される。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

下地基板と、その上に直接又は別の層を介して形成され且つコランダム構造を有するα-酸化ガリウム系薄膜を備え、 前記α-酸化ガリウム系薄膜は、前記α-酸化ガリウム系薄膜中の金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上であり、膜厚が1μm以上であり、且つその少なくとも一部に不純物がドーピングされている、結晶性積層構造体。

IPC (3)：

C30B 29/16 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365

FI (3)：

C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365

F-Term (39)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077BC60 ,  4G077DB02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF04 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA06 ,  4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA20 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16