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J-GLOBAL ID：201503018505164792

スピン電子メモリ及びスピン電子回路

Inventor： 富永 淳二 ,  コロボフ アレキサンダー ,  フォンス ポール
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 塩田 伸
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2012078473
Publication number (International publication number)：WO2013125101
Application date： Nov. 02, 2012
Publication date： Aug. 29, 2013
Summary：

【課題】電子デバイスの省電力化を実現可能なスピン電子メモリ及びスピン電子回路を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のスピン電子メモリは、少なくとも、一対の電極と、前記電極間に配され、厚みが0nmより厚く2nm未満であり、Sb2Te3又はBi2Te3を主成分とする合金層Aと、前記合金層Aに隣接して積層され、GeTeを主成分とする合金層Bとを有し、前記電極からの電圧印加に基づき、前記合金層A中で異なるスピン状態をとる2つのスピン電子に密度差を発生させるスピン流発生層と、が設けられ、密度の高い方の前記スピン電子を利用してメモリ動作を行うことを特徴とする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

少なくとも、一対の電極と、 前記電極間に配され、厚みが0nmより厚く2nm未満であり、Sb2Te3又はBi2Te3を主成分とする合金層Aと、前記合金層Aに隣接して積層され、GeTeを主成分とする合金層Bとを有し、前記電極からの電圧印加に基づき、前記合金層A中で異なるスピン状態をとる2つのスピン電子に密度差を発生させるスピン流発生層と、が設けられ、 密度の高い方の前記スピン電子を利用してメモリ動作を行うことを特徴とするスピン電子メモリ。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  C23C 14/14

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  C23C14/14 G

F-Term (26)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC16 ,  4K029EA01 ,  4M119AA01 ,  4M119AA19 ,  4M119BB20 ,  4M119JJ03 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC21 ,  5F092AD03 ,  5F092BD05 ,  5F092BD13 ,  5F092BD15 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02