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J-GLOBAL ID：201503019655470294

酸素欠損を有する金属膜を堆積させる方法

Inventor： チュー, シューベルト ,  ピン, アル-シュアン ,  センザキ, ヨシヒデ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (2)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2015521711
Publication number (International publication number)：2015531996
Application date： Jul. 09, 2013
Publication date： Nov. 05, 2015
Summary：

既定の酸素欠損を有する酸素欠損金属膜を、少なくとも一つの前駆体の化学反応により、基板上に堆積させる方法が、記載される。代表的な方法は、金属酸化物堆積サイクルの間、金属を含む金属反応ガス及び酸素を含む酸素反応ガスに基板を曝露し、金属酸化物を含有する層を基板上に形成すること、酸素欠損堆積サイクルの間、金属を含む金属反応ガス及び酸素を含まない追加の反応ガスに基板を曝露し、第二のサイクルの間に、金属窒化物及び混合金属のうちの少なくとも一つの第二の層を基板上に形成し、第二の層は、金属酸化物を含有する層と比較して酸素が欠損していること、並びに、金属酸化物堆積サイクル及び酸素欠損堆積サイクルを繰り返し、既定の酸素欠損を有する酸素欠損膜を形成すること、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも二つの層を含む、既定の酸素欠損を有する酸素欠損金属複合物膜を、少なくとも一つの前駆体の化学反応により、基板上に堆積させる方法であって、 金属酸化物堆積サイクルの間、金属を含む金属反応ガス及び酸素を含む酸素反応ガスに前記基板を曝露し、金属酸化物を含有する層を形成するステップ、 酸素欠損堆積サイクルの間、金属反応ガスを含む反応ガス及び、任意選択的に、酸素を含まない反応ガスに前記基板を曝露し、金属、金属窒化物、金属炭素窒化物、金属炭化物、金属酸素窒化物、金属酸素炭素窒化物、金属ケイ素化合物、窒化金属ケイ素化合物(MSiN)、金属ケイ酸塩、窒化金属ケイ酸塩(MSiON))、及びそれらの組合せのうちの一つ又は複数から選択される酸素欠損層を形成するステップであって、前記酸素欠損層は、前記金属酸化物を含有する前記層と比較して酸素が欠損している、ステップ、並びに、前記金属酸化物堆積サイクル及び前記酸素欠損堆積サイクルを繰り返し、前記既定の酸素欠損を有する前記酸素欠損膜を形成するステップ、を含み、 前記堆積方法は、化学気相堆積及び原子層堆積又はそれの組合せから選択される、方法。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/40

FI (9)：

H01L21/316 M ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 448 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 M ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

F-Term (30)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21