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J-GLOBAL ID：201503020514394584

プラスチック廃棄物等を原料として用いる単結晶グラフェンの製造方法、および単結晶グラフェンを用いたタッチパネル

Inventor： カリタ ゴラップ ,  種村 眞幸 ,  シャルマ スバス
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 名古屋工業大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014021108
Publication number (International publication number)：2015147706
Application date： Feb. 06, 2014
Publication date： Aug. 20, 2015
Summary：

【課題】プラスチック廃棄物等の低コスト炭素源を用いたCVDにより、6角形状等のドメイン状グラフェンあるいは連続膜からなる大型サイズのグラフェンの製造方法を提供する。【解決手段】炭素源の熱分解によりグラフェンを製造する方法であって、第1の領域に炭素源である炭素化合物を配置させ、第2の領域に基板を配置させ、前記第1の領域を加熱して前記炭素化合物を蒸気化し、加熱した前記第2の領域に少なくともアルゴンと水素とを含むキャリアガスにより前記炭素化合物の蒸気を導き、当該加熱された第2の領域において、前記炭素化合物を基板上で熱分解することで、前記基板の表面上にドメイン形状のグラフェンを複数個形成する、あるいは基板面全体に連続してグラフェンを形成する、単結晶グラフェンの製造方法。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

炭素源の熱分解によりグラフェンを製造する方法であって、第1の領域に炭素源である炭素化合物を配置させ、第2の領域に基板を配置させ、前記第1の領域を加熱して前記炭素化合物を蒸気化し、加熱した前記第2の領域に少なくともアルゴンと水素とを含むキャリアガスにより炭素化合物を含む蒸気を導き、当該加熱された第2の領域において、前記炭素化合物を熱分解することで、前記基板の表面上に正多角形あるいは円形のドメイン群からなるグラフェン、あるいは基板面全体に連続してグラフェンを形成する、単結晶グラフェンの製造方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101Z

F-Term (29)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC02B ,  4G146AC16B ,  4G146AD03 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA13 ,  4G146BA34 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC32B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4G146CB05 ,  4G146CB06 ,  4G146CB12 ,  4G146CB35 ,  4G146DA03 ,  4G146DA26 ,  4G146DA40 ,  4G146DA48