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J-GLOBAL ID：201503023070257435

電場増強素子、分析装置、及び電子機器

Inventor： 江成 めぐみ
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 上柳 雅誉 ,  渡辺 和昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013256723
Publication number (International publication number)：2015114219
Application date： Dec. 12, 2013
Publication date： Jun. 22, 2015
Summary：

【課題】増強度の大きい波長領域が広く多種類の標的物質に適用することができ、標的物質を高感度にSARS測定することのできる電場増強素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る電場増強素子は、金属層と、前記金属層上に形成された誘電体層と、前記誘電体層に形成された凹部と、前記凹部内に形成された第1金属粒子と、前記凹部内に前記第1金属粒子と離間して形成され、前記第1金属粒子の材質とは異なる材質の第2金属粒子と、を含み、前記凹部の底面と前記金属層との距離は、20nm以上100nm未満である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属層と、 前記金属層上に形成された誘電体層と、 前記誘電体層に形成された凹部と、 前記凹部に形成された第1金属粒子と、 前記凹部に前記第1金属粒子と離間して形成され、前記第1金属粒子の材質とは異なる材質の第2金属粒子と、 を含み、 前記凹部の底面と前記金属層との距離は、20nm以上80nm以下である、電場増強素子。

IPC (1)：

G01N 21/65

FI (1)：

G01N21/65

F-Term (19)：

2G043AA01 ,  2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043BA17 ,  2G043CA01 ,  2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043FA06 ,  2G043GA08 ,  2G043GB02 ,  2G043GB16 ,  2G043HA01 ,  2G043HA09 ,  2G043JA03 ,  2G043KA02 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043MA01 ,  2G043NA06