ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 亀松宏 , 永坂友康 , 小林良博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014180683
Publication number (International publication number)：2015086218
Application date： Sep. 04, 2014
Publication date： May. 07, 2015
Summary：

【課題】ピラードレイヤー構造を有している新規な多孔性高分子金属錯体及びこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材を提供すること、前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。【解決手段】下記式(1) [MXY]n (1)(式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは第一配位子を示し、炭素数1から10である、パーフルオロアルキル基、分岐アルキル基、分岐アルキルオキシ基またはジアルキルアミノ基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、またはピリジル型の配位点を分子の両末端に有しているビピリジル型の第二配位子である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、2価の遷移金属イオンと第一配位子によりカゴメ型の層状ネットワーク構造が形成され、さらにそのカゴメ型の層状ネットワーク構造が第二配位子により架橋されたピラードレイヤー型と呼ばれる三次元ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体及び、そのガス吸着材としての利用ならびにこれを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記式(1) [MXY]n (1) (式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは第一配位子を示し、炭素数1から10である、パーフルオロアルキル基、分岐アルキル基、分岐アルキルオキシ基またはジアルキルアミノ基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、ビピリジン、4-ピリジル基を分子両末端に有するビピリジン類縁体である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。) で表され、2価の遷移金属イオンと第一配位子によりカゴメ型の層状のネットワーク構造が形成され、さらにそのカゴメ型の層状ネットワーク構造が第二配位子により架橋されたピラードレイヤー型と呼ばれる三次元ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体。

IPC (5)：

C07D 213/22 , C08G 79/00 , B01J 20/26 , F17C 11/00 , C07C 63/72

FI (5)：

C07D213/22 , C08G79/00 , B01J20/26 A , F17C11/00 A , C07C63/72

F-Term (45)：

3E172AA02 , 3E172AA03 , 3E172AA05 , 3E172AB12 , 3E172AB13 , 3E172EA02 , 3E172EA13 , 3E172FA07 , 4C055AA01 , 4C055BA01 , 4C055CA01 , 4C055DA27 , 4C055EA01 , 4G066AB24B , 4G066AC11B , 4G066AC33B , 4G066AC35B , 4G066BA22 , 4G066BA36 , 4G066CA35 , 4G066CA37 , 4G066DA01 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4H006AB84 , 4H006BJ50 , 4H006BM10 , 4H006BM71 , 4H006BS30 , 4H048AA03 , 4H048AB46 , 4H048AB84 , 4H048VA32 , 4H048VB10 , 4H050AA03 , 4H050AB46 , 4H050AB84 , 4J030CA02 , 4J030CB01 , 4J030CC02 , 4J030CC04 , 4J030CC30 , 4J030CD11 , 4J030CE02 , 4J030CG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

有機金属錯体、ガス分離用成形体及びガス分離法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-002055 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
金属錯体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-153928 Applicant：株式会社クラレ, 昭栄化学工業株式会社, 昭和電工株式会社, 東洋紡績株式会社, 国立大学法人京都大学
金属錯体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-188542 Applicant：株式会社クラレ, 国立大学法人京都大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Synthesis, structures and properties of Mn(II) coordination frameworks based on R-isophthalate (R =
柔軟な多孔性錯体の固溶体による吸着等温線の精密制御
多孔性金属錯体(PCP/MOF)の表面化学

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