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J-GLOBAL ID：201503038094560756
有機半導体素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011080823
Publication number (International publication number)：2012216676
Patent number：5737505
Application date： Mar. 31, 2011
Publication date： Nov. 08, 2012
Claim (excerpt)：
【請求項1】 有機半導体材料を溶媒に含有させた有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部を有する基体と、前記基体上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記基体の撥液部の一部上に形成された遮蔽層とを有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に金又は/及び白金が含まれている有機半導体素子用基板上に、前記有機半導体素子用基板のソース電極及びドレイン電極が形成されている側から、紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板に照射して、前記遮蔽層を用いることで、前記基体の撥液部の一部を前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部にパターン状に変性する有機半導体素子用基板の形成工程と、
前記遮蔽層を前記有機半導体素子用基板の基体上から除去し、前記有機半導体素子用基板上に前記有機半導体層形成用溶液を塗布し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接する有機半導体層を形成する有機半導体層の形成工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/28 100 A
