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J-GLOBAL ID：201503038792348696

ヘキサチオペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれを含むゲル

Inventor： 高口 豊 ,  田嶋 智之 ,  西濱 拓也 ,  林 勇樹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 岡山大学
Agent (2)： 中務 茂樹 ,  伊藤 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013153089
Publication number (International publication number)：2015020998
Application date： Jul. 23, 2013
Publication date： Feb. 02, 2015
Summary：

【課題】太陽電池デバイスに使用するための高沸点有機溶媒によりゲル化することが可能となる可視〜近赤外領域に強い吸収を有する有機半導体材料であるヘキサチオペンタセン化合物の提供。【解決手段】式で示されるヘキサチオペンタセン化合物。[式中、R1、R2、R3及びR4は特定の基。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示されるヘキサチオペンタセン化合物。

IPC (5)：

C07D 495/22 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/42

FI (5)：

C07D495/22 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H01L31/04 D

F-Term (10)：

4C071AA02 ,  4C071AA08 ,  4C071BB03 ,  4C071CC25 ,  4C071EE12 ,  4C071FF22 ,  4C071GG03 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL05 ,  5F151AA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-234987   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-136445   Applicant：国立大学法人岡山大学
• 溶解性の高いペンタセン化合物およびそれを用いた有機半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-238078   Applicant：国立大学法人岡山大学, チッソ株式会社, チッソ石油化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 2,9位に置換基をもつヘキサチオペンタセンの合成と性質
• J. Am. Chem. Soc., 2006, Vol.128, No.49, p.15576-15577
• Nano Lett., 2007, Vol.7, No.3, p.668-675