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J-GLOBAL ID：201503039223399050

半導体素子

Inventor： 西谷 幹彦 ,  坂井 全弘 ,  井土 眞澄 ,  福井 裕介 ,  山内 康弘
Applicant, Patent owner： パナソニックIPマネジメント株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2012007532
Publication number (International publication number)：WO2013080506
Application date： Nov. 22, 2012
Publication date： Jun. 06, 2013
Summary：

n型ZnO系半導体層と組み合わされ、比較的低温でも良好な結晶性で平滑に薄膜形成できるp型半導体層を備え、大画面のディスプレイ用途で良好な特性の発揮を期待できる半導体素子を提供する。具体的にはガラス基板10上に、下部電極2と、厚み2um〜4umのZnO活性層のn型半導体層3とを形成する。n型半導体層3の上にp型半導体材料であるZn0.5Ni0.5Oからなる、厚み200nm〜400nmのp型ZnNiO層(第1p型半導体層)4aと、p型NiO層(第2p型半導体層)4bとを順次形成する。その上にITO等の透明電極材料からなる上部電極5を形成する。

Claim (excerpt)：

ZnOで構成されるn型半導体層と、 Zn1-XNiXO(0<X<1)で構成される第1p型半導体層と、 Zn1-YNiYO(0<Y≦1)で構成される第2p型半導体層を同順に積層してなり、 Y値がX値よりも大きい値である、 半導体素子。

IPC (1)：

H01L 33/28

FI (1)：

H01L33/00 182

F-Term (8)：

5F141CA03 ,  5F141CA41 ,  5F141CA88 ,  5F141FF01 ,  5F241CA03 ,  5F241CA41 ,  5F241CA88 ,  5F241FF01