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J-GLOBAL ID：201503041850723231

グラフェン電界効果トランジスタおよびグラフェン半導体部材

Inventor： 鷹林 将 ,  尾辻 泰一 ,  ▲高▼桑 雄二 ,  小川 修一 ,  楊 猛
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2013052766
Publication number (International publication number)：WO2013121954
Application date： Feb. 06, 2013
Publication date： Aug. 22, 2013
Summary：

【課題】グラフェンチャネルを直接傷つけることなくキャリア密度およびキャリア移動度を高め、動作速度の向上を図ることができ、さらにアクセス抵抗を低減可能で、デジタルスイッチング動作を実現することができるグラフェン電界効果トランジスタおよびグラフェン半導体部材を提供する。【解決手段】絶縁体層14が、グラフェンとの反応性が低いダイヤモンドライクカーボンから成り、グラフェンから成るチャネル層11の上に設けられている。絶縁体層14は、トンネル効果によりチャネル層11にキャリアを供給可能な薄膜状の変調ドープ部14aを有している。ソース電極12およびドレイン電極13が、チャネル層11に電気的に接続され、絶縁体層14を挟む位置に互いに離れて配置されている。ゲート電極15が、絶縁体層14の上に設けられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

グラフェンから成るチャネル層と、 前記チャネル層の上に設けられ、グラフェンとの反応性が低い材料から成る絶縁体層と、 前記チャネル層に電気的に接続され、前記絶縁体層を挟む位置に互いに離れて配置されたソース電極およびドレイン電極と、 前記絶縁体層の上に設けられたゲート電極とを有し、 前記絶縁体層は、前記チャネル層にキャリアを供給可能な薄膜状の変調ドープ部を有することを 特徴とするグラフェン電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (6)：

H01L29/78 617S ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617U

F-Term (18)：

5F110AA26 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02