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J-GLOBAL ID：201503046149072287

半導体基板の製造方法

Inventor： 今岡 功 ,  小林 元樹 ,  内田 英次 ,  八木 邦明 ,  河原 孝光 ,  八田 直記 ,  南 章行 ,  坂田 豊和 ,  牧野 友厚 ,  ▲高▼木 秀樹 ,  倉島 優一
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機 ,  株式会社サイコックス ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013142151
Publication number (International publication number)：2015015401
Application date： Jul. 05, 2013
Publication date： Jan. 22, 2015
Summary：

【課題】基板表面の平坦化が困難な基板に対しても、接合界面における酸化膜の形成を伴うことなく、且つ接合強度の高い接合面を備えている半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板の製造方法は、支持基板の表面を改質して第1の非晶質層を形成するとともに、半導体の単結晶層の表面を改質して第2の非晶質層を形成する非晶質層形成工程を備える。また、第1の非晶質層と第2の非晶質層とを接触させる接触工程を備える。また、第1の非晶質層と第2の非晶質層とが接触している状態の支持基板および単結晶層を熱処理する熱処理工程を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の製造方法であって、 支持基板の表面を改質して第1の非晶質層を形成するとともに、半導体の単結晶層の表面を改質して第2の非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、 前記第1の非晶質層と前記第2の非晶質層とを接触させる接触工程と、 前記第1の非晶質層と前記第2の非晶質層とが接触している状態の前記支持基板および前記単結晶層を熱処理する熱処理工程と、 を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/24

FI (5)：

H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/24 ,  B23K20/00 310P

F-Term (20)：

4E167AA17 ,  4E167AA18 ,  4E167AA19 ,  4E167AA21 ,  4E167BA05 ,  4E167CA05 ,  4E167CA10 ,  4E167CA12 ,  4E167CB01 ,  4E167DA05 ,  5F152AA11 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CE07 ,  5F152CE08 ,  5F152CE46 ,  5F152EE13 ,  5F152FF21 ,  5F152LP02