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J-GLOBAL ID：201503053401543200

リポソームの剥離方法

Inventor： 大崎 寿久 ,  竹内 昌治 ,  川野 竜司 ,  神谷 厚輝
Applicant, Patent owner： 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
Agent (1)： 特許業務法人谷川国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013240444
Publication number (International publication number)：2015100715
Application date： Nov. 20, 2013
Publication date： Jun. 04, 2015
Summary：

【課題】基板上に形成されたリポソームを基板から簡便に離脱させることができる、リポソームの剥離方法を提供すること。【解決手段】リポソームの剥離方法は、表面の少なくとも一部が導電性材料で形成された基板の導電性領域上に形成されたリポソームの剥離方法であり、導電性領域に-5V〜-15Vのパルス状の電圧を0.5秒〜5秒間印加してリポソームを導電性領域から離脱させる。【効果】表面の少なくとも一部が導電性材料で形成された基板上に形成されたリポソームを、外力を加えることなく完全な形で容易に剥離することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面の少なくとも一部が導電性材料で形成された基板の導電性領域上に形成されたリポソームの剥離方法であって、前記導電性領域に-5V〜-15Vのパルス状の電圧を0.5秒〜5秒間印加してリポソームを前記導電性領域から離脱させる、リポソームの剥離方法。

IPC (1)：

B01J 13/20

FI (1)：

B01J13/02 K

F-Term (8)：

4G005AA07 ,  4G005BB19 ,  4G005BB24 ,  4G005CA02 ,  4G005DB12X ,  4G005DC56Y ,  4G005DC56Z ,  4G005EA03