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J-GLOBAL ID：201503053735580158

グラフェンおよびその製造方法

Inventor： 永瀬 雅夫
Applicant, Patent owner： 国立大学法人徳島大学
Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012038609
Publication number (International publication number)：2015110485
Application date： Feb. 24, 2012
Publication date： Jun. 18, 2015
Summary：

【課題】SiCを用いた熱分解法において、高い結晶品質のグラフェンを得る。【解決手段】まず、第1工程S101で、不活性な雰囲気にSiC基板を配置する。次に、第2工程S102で、不活性な雰囲気でSiC基板を加熱してSiC基板の表面のシリコンを蒸発させてSiC基板の表面にグラフェンを形成する。第2工程S102において、形成されるグラフェンの表面の二乗平均面粗さが0.5nm以下となる製造条件で行う。表面の二乗表面粗さが0.5nm以下であるグラフェンは、1層の状態であり、結晶欠陥などの発生が抑制されて高品質な結晶状態が得られている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

SiCの表面に形成されたグラフェンであって、 前記グラフェンの表面の二乗表面粗さが0.5nm以下である ことを特徴とするグラフェン。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101Z

F-Term (7)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146BA08 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34B