エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013216557
Publication number (International publication number)：2015079877
Application date： Oct. 17, 2013
Publication date： Apr. 23, 2015
Summary：

【課題】基板上のシリコン含有膜を、フッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを用いて複数の基板に対して連続してエッチングする際に、エッチングレートの低下を抑制する。【解決手段】基板Wのシリコン含有膜をエッチングするエッチング装置5は、チャンバー40と、チャンバー40内に設けられた基板載置機構42と、チャンバー40内にフッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを供給するガス供給機構43と、排気機構44とを備える。基板載置機構42は、載置台91と、載置台91の載置面の温度を50°C以下の温度に温調する温調機構94,95と、載置台91の載置面以外の面の少なくとも一部を60〜100°Cに加熱する加熱部材99とを有し、載置台91の少なくとも載置面は、樹脂製のコーティング層98が形成されている。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上のシリコン含有膜を、フッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを用いてエッチングし、副生成物としてケイフッ化アンモニウムが生成されるエッチング装置であって、シリコン含有層を有する基板が収容されるチャンバーと、前記チャンバー内に設けられた基板載置機構と、前記チャンバー内にフッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構とを備え、前記基板載置機構は、基板を載置する載置面を有する載置台と、前記載置台の前記載置面の温度を50°C以下の温度に温調するための温調機構と、前記載置台の前記載置面以外の面の少なくとも一部を60〜100°Cに加熱するための加熱部材とを有し、前記載置台の少なくとも前記載置面は、樹脂製のコーティング層が形成されていることを特徴とするエッチング装置。

IPC (1)：

H01L 21/302

FI (1)：

H01L21/302 201A

F-Term (7)：

5F004AA06 , 5F004BB25 , 5F004BB29 , 5F004DA00 , 5F004DA20 , 5F004DB03 , 5F004EA34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化シリコンのエッチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-031581 Applicant：積水化学工業株式会社
枚葉式の熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-219669 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
ヒータ、基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-201077 Applicant：創研工業株式会社

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