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J-GLOBAL ID：201503091917071770

有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法

Inventor： 孫 仁徳 ,  早川 明伸 ,  佐々木 拓 ,  大村 貴宏 ,  伊藤 和志
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014132877
Publication number (International publication number)：2015029091
Application date： Jun. 27, 2014
Publication date： Feb. 12, 2015
Summary：

【課題】本発明は、光電変換効率の高い有機薄膜太陽電池とすることが可能な有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法、及び、該有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法を用いて得られる有機薄膜太陽電池用光電変換層を提供する。【解決手段】融点が1200°C以下の硫化物半導体からなり、平均粒子径が50nm以下の硫化物半導体粒子を含有する分散液を、電子輸送層が形成された導電性基板上に成膜して硫化物半導体膜を形成する工程1、前記硫化物半導体膜及び電子輸送層を形成した積層導電性基板を100〜300°Cで加熱処理する工程2、及び、前記工程2で加熱した後の積層導電性基板を、P型有機半導体を含有する溶液で処理する工程3を有する有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

融点が1200°C以下の硫化物半導体からなり、平均粒子径が50nm以下の硫化物半導体粒子を含有する分散液を、電子輸送層が形成された導電性基板上に成膜して硫化物半導体膜を形成する工程1、 前記硫化物半導体膜及び電子輸送層を形成した積層導電性基板を100〜300°Cで加熱処理する工程2、及び、 前記工程2で加熱した後の積層導電性基板を、P型有機半導体を含有する溶液で処理する工程3を有する ことを特徴とする有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法。

IPC (1)：

H01L 51/44

FI (2)：

H01L31/04 112B ,  H01L31/04 112A

F-Term (12)：

5F151AA07 ,  5F151AA11 ,  5F151AA12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03