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J-GLOBAL ID:201601005554734516
Update date: Feb. 01, 2024
Ono Yukinori
オノ ユキノリ | Ono Yukinori
Affiliation and department:
Job title:
Professor
Homepage URL (1):
https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/
Research field (2):
Electric/electronic material engineering
, Electronic devices and equipment
Research keywords (6):
ナノエレクトロニクス
, シリコンデバイス
, 量子効果
, single dopant atom
, electron spin resonance
, チャージポンピング
Research theme for competitive and other funds (18):
- 2022 - 2027 MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導
- 2020 - 2024 シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現
- 2020 - 2024 電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究
- 2020 - 2022 Development of high-speed electron-lattice energy-conversion method for future electronics
- 2017 - 2022 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立
- 2016 - 2020 Single phonon control by dopant atoms in silicon
- 2014 - 2017 Development of detection and characterization techniques of single traps and innovative progress of trap physics
- 2015 - 2017 Development of sensitive charge-pumping spin-resonance method and its application to spin control in electron-pair recombination process
- 2013 - 2016 Control of magnetic property in dopant lattice
- 2011 - 2016 Development of dopant atom devices based on silicon nanostructures
- 2013 - 2016 Research on high-precision charge transfer using dopant atoms in silicon
- 2012 - 2015 Multi-input and multi-output flexible nanodot-array devices operating with multiple valued ReRAM
- 2013 - 2015 Research on single-atom inelastic tunneling spectroscopy and atomic scale energy transfer
- 2010 - 2012 Control of dielectric function by making nano-scale structure of IV-group semiconductor
- 2008 - 2011 Silicon Single-Dopant Electronics
- 2006 - 2009 Nanoscale-multiple-junctions : Transport control and development of new functions
- 2004 - 2007 Silicon single-electron devices : Time-space control of transport and development of new functions
- 2004 - 2007 Control of single electrons using bonor levels in silicon
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Papers (141):
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Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces. Communications Physics. 2023. 6. 1. 1-11
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Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, Choji Fukuhara. Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S. RSC Advances. 2023. 13. 17. 11525-11529
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Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono, Shiro Saito. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit. Communications Physics. 2023. 6. 1. 1-6
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T. Teja Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors. Applied Physics Express. 2022. 15. 6. 065003_1-4
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M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono. Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Applied Physics Express. 2021. 14. 10. 104003-1
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MISC (42):
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Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices. 2017. 116. 471. 7-12
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Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices. 2017. 116. 472. 7-12
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渡辺 時暢, 堀 匡寛, 小野 行徳. シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 115. 469. 23-26
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WATANABE Tokinobu, HORI Masahiro, TSUCHIYA Toshiaki, ONO Yukinori. Accuracy of Time Domain Charge Pumping. Technical report of IEICE. SDM. 2015. 114. 443. 13-16
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SHINADA Takahiro, HORI Masahiro, GUAGLIARDO Filipo, ONO Yukinori, KUMAGAI Kuninori, TANII Takashi, PRATI Enrico. Deterministic-doped Silicon Devices and Their Quantum Transport. IEICE technical report. Electron devices. 2012. 111. 425. 1-5
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Patents (13):
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走査型プローブ顕微鏡用探針
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ゲインセル・メモリ回路及びその駆動方法
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単電子トランジスタ
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電界変調型単電子トランジスタ
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ナノチューブの製造方法及びトランジスタの製造方法
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Books (3):
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電子・物性系のための量子力学-デバイスの本質を理解する
森北出版株式会社 2015
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"Silicon Single-Electron Devices," in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
Springer, New York 2009
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"Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology
Wiley-VCH, Weinheim 2008
Lectures and oral presentations (128):
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MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) -捕獲電子の再結合課程(II)-
(2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023)
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MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合課程(I)-
(2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023)
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Silicon Electron Nano-Aspirator - Current enhancement based on electron-electron scattering -
(Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) 2023)
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Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature
(Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) 2023)
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超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定
(2023年 日本物理学会 春季大会 2023)
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Education (3):
- 1996 - 博士(工学)早稲田大学
- 1986 - 1988 Waseda University Graduate School of Science and Engineering
- 1982 - 1986 Waseda University School of Science and Engineering
Professional career (2):
- Master (Waseda University)
- Doctor (Waseda University)
Work history (6):
Committee career (5):
- 2017 - 現在 応用物理学会 マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議 組織委員会委員
- 2013 - 現在 応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会幹事
- 2019/04 - 2023/03 日本学術振興会 学術システム研究センター 専門研究委員(プログラムオフィサー)
- 2019/02 - 2019/12 応用物理学会 第32回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議 組織委員会委員長
- 2011/01 - 2011/12 General Chair
Awards (10):
- 2023/06 - The Japan Society of Applied Physics 17th JSAP Fellow(2023) Study on Single-Charge Transport in SiO2/Si-Based Nanodevices
- 2023/03 - 日本学術振興会 感謝状
- 2022/04 - 国立大学静岡大学 第5期静岡大学研究フェロー
- 2020/11 - 公益社団法人浜松電子工学奨励会 令和2年度(第34回)高柳記念賞 シリコンナノ構造における電子・電子散乱制御とそのデバイス応用に関する研究
- 2020/04 - Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology Japan Awards for Science and Technology (Research category) of the Commendation for Science and Technology by the Minister of Education, Culture, Sports, Science and Technology
- 2020/03 - JSAP Silicon Technology Division JSAP Silicon Technology Division Paper Award Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
- 2019/04 - 国立大学法人静岡大学 第4期静岡大学研究フェロー
- 2016/09 - The Japan Society of Applied Pysics 38th JSAP Paper Award Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method
- 2009/03 - 日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所 物性科学基礎研究所所長表彰 業績賞 単一ドーパント・エレクトロニクスに関する先駆的研究
- 2007/12 - 日本電信電話株式会社 先端技術総合技術研究所 先端技術総合技術研究所 所長表彰 研究開発賞 シリコンナノMOSFETを用いた単電子操作・検出技術の確立
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Association Membership(s) (3):
IEEE
, The Institute of Electronics Information and Communication Engineers (IEICE)
, The Japan Society of Applied Physics(JSAP)
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